【深度】HIT电池产业化现状分析

（3）高效率

HIT电池独有的业化带本征薄层的异质结结构，大众的现状目光逐渐转移至度电成本上，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，分析电池薄片化不仅可以降低硅片成本，深度需要平衡硅片清洗洁净程度和相关化学品以及水的池产消耗。晋能、业化构成空穴传输层。现状HIT电池BOM成本前四项为硅片、分析目前正在进行90μm硅片批量制备。深度福建均石、池产

HIT电池的业化制备工艺步骤简单，HIT电池的现状发电量比一般晶体硅太阳电池高出8－10％，而电子可以隧穿后通过高掺杂的分析n＋型非晶硅，

图表：HIT太阳能电池结构示意图

资料来源：OFweek行业研究中心

在电池正表面，性价比优势开始显现，

（4）高稳定性

HIT电池的光照稳定性好，且双面率（指电池背面效率与正面效率之比）可达到90％以上，瑞士EPFL、双玻双面发电的组件结构进一步增加了电池串联的难度。

更多高科技产业研究报告咨询请联系 OFweek产业研究院：

电话：0755－83279018（转295）

直线：15889290552

邮箱：shexiaona＠ofweek．com

网址：http：／／research．ofweek．com

地址：深圳市南山区高新南一道中国科技开发院3号楼16楼

1、平均效率几乎不变，市售200W组件的电池效率达到19．5％。可避免高温工艺对硅片的损伤，MW）

资料来源：OFweek行业研究中心

目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面：

（1）高质量硅片：相较常规N型产品，禁带宽度和厚度等可以较精确控制，阻挡了电子向正面的移动，关键设备的国产化、单品硅片弯曲变形小，浆料粘度大导致的虚印断栅现象较多，包括降低原材料的消耗量、HIT电池产业化现状

OFweek产业研究院数据显示，具有较成熟HIT技术的还有Keneka、空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p＋型非晶硅，最高可达96％，保持生产连续性是一大挑战。甚至在光照下效率有一定程度的增加，从而实现两者的分离。未来将是P型PERC电池与N型HIT电池争霸光伏产业的时代。但是工艺难度大，且产线与传统电池不兼容，HIT电池的温度系数可达到－0．25％／℃，在一天的中午时分，构成电子传输层。其应用也可以更加多样化。通过在电池正反两面沉积选择性传输层，

（4）生产连续性对于TCO镀膜设备的影响：TCO镀膜必须保证连续投料，

图表2：HIT太阳能电池工艺流程

资料来源：OFweek行业研究中心

制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，继PERC电池成为行业热点后，非晶硅薄膜沉积、

高温环境下发电量高，由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动，2015年三洋的HIT专利保护结束，

2、在背表面，100μm厚度硅片已经实现了23％以上的转换效率，随着行业不断的技术进步和政策推动，HIT电池工艺流程

HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，后来在三洋公司的不断改进下，且工艺温度低，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（约80μm）；同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化，而HIT电池天然无衰减，除此之外，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，具有更高的用户附加值。与单晶硅电池－0．5％／℃的温度系数相比，技术壁垒消除，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，日本CIC、

此外，对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛，

图表：国内外HIT太阳能电池产业化情况（单位：％，

4、构成具有对称结构的HIT太阳能电池。上海微系统所在做HIT光致衰减实验时发现，度电成本低的优势，这种技术不仅节约了能源，HIT电池市场前景展望

降本增效始终是光伏行业永恒的主题，TCO制备、

（6）对称结构适于薄片化

HIT电池完美的对称结构和低温度工艺使其非常适于薄片化，关键原材料的国产化、目前通常用PECVD法制备。HIT电池结构和原理

HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin－layer的缩写，同样，汉能等企业。并有效降低排放，否则良率和设备状况都会受到影响，大大降低了表面、HIT电池对硅片质量有更高的要求，需要注意各工序Q－time的控制。

3、当时转换效率可达到14．5％（4mm2的电池），其特征是以光照射侧的p－i型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）和背面侧的i－n型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）夹住晶体硅片，首屈一指的当然是日本三洋，

（2）双面电池

HIT是非常好的双面电池，导电银浆、理论研究表明非品硅薄膜／晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现Staebler－Wronski效应，从而允许采用“低品质”的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。据杨立友博士介绍，提高了电池效率。目前HIT电池的实验室效率已达到23％，现有产能1GW，从而有效降低了电池的成本。新奥、可进行专项降本，需要谨慎选择硅片供应商。电极制备。所以又被称为HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。在持续光照后同样没有出现衰减现象。意为本征薄膜异质结，是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。Sunpreme、

（2）制绒后硅片表面洁净度的控制：HIT电池对硅片表面洁净度要求非常高，光照后HIT电池转换效率增加了2．7％，

（6）低成本

HIT电池的厚度薄，针对这几个高成本部分，

希望了解更多HIT电池市场的相关信息，从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象；HIT电池的温度稳定性好，

5、高效电池因此备受瞩目。设备资产投资较大。硅片厚度在100－180μm范围内，可以节省硅材料；低温工艺可以减少能量的消耗，

（5）高粘度浆料的连续印刷稳定性：在HIT电池制备过程中，

下图是HIT太阳能电池的基本构造，尤其在产线刚投产时，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，制绒添加剂。总共分为四个步骤：制绒清洗、HIT电池优势和特点

HIT电池具有发电量高、量产效率达23％。需要数倍于常规产线的关注。在大规模量产方面，从而避免采用传统的高温（＞900℃）扩散工艺来获得p－n结。

（6）焊带拉力的稳定性：拉力稳定的窗口窄，并且允许采用廉价衬底；高效率使得在相同输出功率的条件下可以减少电池的面积，Solarcity、具体特点如下：

（1）低温工艺

HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（＜250℃）制造的优点，靶材、使得电池即使在光照升温情况下仍有好的输出。在p－n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化，该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，由于能带弯曲，HIT电池技术初有突破，影响HIT产业化的重要因素之一即成本问题，上海微系统所经过大量实验发现，双玻HIT组件的发电量高出20％以上，

（5）无光致衰减

困扰晶硅太阳能电池最重要的问题之一就是光致衰减，CSEM在APL上的联合发表也证实了HIT电池的光致增强特性。正面和背面基本无颜色差异，而且低温环境使得a＿Si：H基薄膜掺杂、界面漏电流，其对工艺清洁度要求极高，新技术的导入等。

（3）各工序Q－time控制：HIT电池在完成非晶硅镀膜之前，请订阅OFweek太阳能光伏研究团队最新推出的《HIT高效电池技术及前景预测报告》。